電子デバイス研究委員会

委員長:大津孝佳
幹事:津波古和司, 山口晋一

設置期間

2013年4月〜2015年3月

目的・内容

 半導体デバイス,ディスプレイデバイス,ハードディスクなどの電子デバイス及びこれらを組み込んだ電子機器は半導体素子の高集積化,高速化,低電圧化に伴って益々静電吸引(ESA),静電気放電(ESD),静電気放電に基づく電磁障害(EMI)に脆弱となっている。これらの電子デバイスの製造,組み立て,実装工程における製品の歩留まり,信頼性等において,ESA,ESD,EMI等の問題が大きな課題となっている。このような課題の解決に当たっては,ESA,ESD,EMI等を科学的に把握し,工学的に対策技術を検討する必要がある。
 更に、電子デバイスの高性能化に伴い、コンポーネントレベルやシステムレベルでの静電気対策技術の検討が望まれる。そのため,産学が連携し,共通の認識に立って,ESA,ESD,EMI等の問題やコンポーネントレベルやシステムレベルでの静電気対策技術について取り組み,討論する場としての本研究委員会の設置を申請するものである。

委員数

15名

年間活動計画

  • 年2~3回程度,参加委員が情報提供し,この分野の情報の共有化を図る。
  • 電子デバイスの静電気対策に関する将来ビジョンに関して討論を行う。
  • 静電気学会主催の研究会・シンポジウムの企画,講演に協力する。
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